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    固體電子學研究與進展雜志

    全年訂價:¥220.00/年收藏

    固體電子學研究與進展雜志統計源期刊

    Research & Progress of SSE Solid State Electronics

    同學科期刊級別分類 CSSCI南大期刊 北大期刊 CSCD期刊 統計源期刊 部級期刊 省級期刊

    • 雙月刊 出版周期
    • 32-1110/TN CN
    • 1000-3819 ISSN
    主管單位:中國電子科技集團公司
    主辦單位:南京電子器件研究所
    創刊時間:1981
    開本:A4
    出版地:江蘇
    語種:中文
    審稿周期:1-3個月
    影響因子:0.43
    被引次數:85
    數據庫收錄:

    統計源期刊(中國科技論文優秀期刊)知網收錄(中)、維普收錄(中)萬方收錄(中)CA 化學文摘(美)、JST 日本科學技術振興機構數據庫(日)國家圖書館館藏上海圖書館館藏

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    固體電子學研究與進展雜志簡介

    《固體電子學研究與進展》雜志是南京電子器件研究所主辦的全國性學術季刊,向國內外公開發行。國內統一刊號:CN32-1110/TN,國際統一刊號:ISSN1000-3819。面向21世紀固體物理和微電子學領域的創新性學術研究??堑闹饕獌热轂椋簾o機和有機固體物理、硅微電子、射頻器件和微波集成電路、微機電系統(MEMS)、納米技術、固體光電和電光轉換、有機發光器件(OLED)和有機微電子技術、高溫微電子以及各種固體電子器件等方面的創新性科學技術報告和學術論文,論文和研究報告反映國家固體電子學方面的科技水平。

    固體電子學研究與進展雜志欄目設置

    本刊器件物理、射頻器件與電路、微電子學、光電子學、半導體材料。

    固體電子學研究與進展雜志榮譽信息

    固體電子學研究與進展雜志訂閱方式

    地址:南京1601信箱43分箱,郵編:210016。

    固體電子學研究與進展雜志社投稿須知

    1.文章標題:一般不超過300個漢字以內,必要時可以加副標題,最好并譯成英文。

    2.作者姓名、工作單位:題目下面均應寫作者姓名,姓名下面寫單位名稱(一、二級單位)、所在城市(不是省會的城市前必須加省名)、郵編,不同單位的多位作者應以序號分別列出上述信息。

    3.提要:用第三人稱寫法,不以“本文”、“作者”等作主語,100-200字為宜。

    4.關鍵詞:3-5個,以分號相隔。

    5.正文標題:內容應簡潔、明了,層次不宜過多,層次序號為一、(一)、1、(1),層次少時可依次選序號。

    6.正文文字:一般不超過1萬字,用A4紙打印,正文用5號宋體。

    7.數字用法:執行GB/T15835-1995《出版物上數字用法的規定》,凡公元紀年、年代、年、月、日、時刻、各種記數與計量等均采用阿拉伯數字;夏歷、清代及其以前紀年、星期幾、數字作為語素構成的定型詞、詞組、慣用語、縮略語、臨近兩數字并列連用的概略語等用漢字數字。

    8.圖表:文中盡量少用圖表,必須使用時,應簡潔、明了,少占篇幅,圖表均采用黑色線條,分別用阿拉伯數字順序編號,應有簡明表題(表上)、圖題(圖下),表中數字應注明資料來源。

    9.注釋:是對文章某一特定內容的解釋或說明,其序號為①②③……,注釋文字與標點應與正文一致,注釋置于文尾,參考文獻之前。

    10.參考文獻:是對引文作者、作品、出處、版本等情況的說明,文中用序號標出,詳細引文情況按順序排列文尾。以單字母方式標識以下各種參考文獻類型:普通圖書[M],會議論文[C],報紙文章[N],期刊文章[J],學位論文[D],報告[R],標準[S],專利〔P〕,匯編[G],檔案[B],古籍[O],參考工具[K]。

    11.基金資助:獲得國家基金資助和省部級科研項目的文章請注明基金項目名稱及編號,按項目證明文字材料標示清楚.

    12.作者簡介:第一作者姓名(出生年月-),性別,民族(漢族可省略),籍貫,現供職單位全稱及職稱、學位,研究方向。

    13.其他:請勿一稿兩投,并請自留原稿,本刊概不退稿,投寄稿件后,等待審查。審查通過編輯部會通知您一般雜志社審核時間是1-3個月:如果要是到我中心給你論文代發請詳細看。

    固體電子學研究與進展雜志范例

    RF等離子輔助熱絲CVD法制備大面積β-SiC薄膜

    注入同步鎖相環式時鐘恢復電路MMIC的設計和實現

    組合式非周期缺陷接地結構中FDTD應用研究

    一種X波段GaAs單片單刀雙擲開關

    與HBT工藝兼容的新型負阻器件的研制與分析

    HBT小信號等效電路參數解析提取

    HfO_2/TaON疊層柵介質GepMOSFET制備及遷移率退化研究

    基于量子元胞自動機的奇偶校驗系統分塊設計

    基于碳納米管宏觀體的熱線式流速探針

    三終端量子環的透射概率和概率流密度

    應變Si/(001)Si1-xGex價帶結構

    超薄HfN界面層對HfO_2柵介質GepMOSFET電性能的改進

    四終端量子環自旋輸運的性質

    應變Si(100)態密度模型

    橫向接觸式RFMEMS開關

    一種低功耗自動頻率修正的復數濾波器設計

    一款應用于GPS接收機的抗失配零中頻混頻器

    固體電子學研究與進展雜志數據信息

    影響因子和被引次數

    雜志發文量

    固體電子學研究與進展雜志發文分析

    主要資助課題分析

    資助課題 涉及文獻
    江蘇省“六大人才高峰”高層次人才項目(DZXX-053) 8
    國家自然科學基金(60371029) 8
    國家自然科學基金(60506012) 8
    國家自然科學基金(60776016) 8
    中央高?;究蒲袠I務費專項資金(JUSRP51323B) 8
    國家高技術研究發展計劃(2009AA011605) 7
    北京市人才強教計劃項目(05002015200504) 7
    國家自然科學基金(69736020) 7
    國家自然科學基金(61106130) 7
    國防科技重點實驗室基金(9140C1402021102) 6

    主要資助項目分析

    資助項目 涉及文獻
    國家自然科學基金 823
    國家高技術研究發展計劃 147
    國家重點基礎研究發展計劃 113
    江蘇省自然科學基金 68
    中央高?;究蒲袠I務費專項資金 50
    國家科技重大專項 47
    國家教育部博士點基金 44
    福建省自然科學基金 26
    國家重點實驗室開放基金 24
    河北省自然科學基金 24
    固體電子學研究與進展雜志

    固體電子學研究與進展雜志

    訂閱價格:¥220.00/1年 發行周期:雙月刊 紙張開本:A4

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