Ieee Transactions On Electron Devices

SCIE

按雜志級別劃分： 中科院1區中科院2區中科院3區中科院4區

2區中科院分區
Q2 JCR分區
1084 年發文量
100.00% 研究類文章占比
6.38% Gold OA文章占比

ISSN：0018-9383

創刊時間：1954

是否預警：否

E-ISSN：1557-9646

出版地區：UNITED STATES

是否OA：未開放

出版語言：English

出版周期：Monthly

影響因子：2.9

出版商：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

審稿周期：約4.7個月

CiteScore：5.8

H-index：165

出版國人文章占比：0.22

開源占比：0.0674

文章自引率：0.1612...

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Ieee Transactions On Electron Devices雜志簡介

Ieee Transactions On Electron Devices是由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商主辦的工程技術領域的專業學術期刊，自1954年創刊以來，一直以高質量的內容贏得業界的尊重。該期刊擁有正式的刊號（ISSN：0018-9383，E-ISSN：1557-9646），出版周期Monthly，其出版地區設在UNITED STATES。該期刊的核心使命旨在推動工程技術專業及PHYSICS, APPLIED學科界的教育研究與實踐經驗的交流，發表同行有創見的學術論文，提倡學術爭鳴，激發學術創新，開展國際間學術交流，為工程技術領域的發展注入活力。

該期刊文章自引率0.1612...，開源內容占比0.0674，出版撤稿占比0，OA被引用占比0.0017...，讀者群體主要包括工程技術的專業人員，研究生、本科生以及工程技術領域愛好者，這些讀者群體來自全球各地，具有廣泛的學術背景和興趣。Ieee Transactions On Electron Devices已被國際權威學術數據庫“ SCIE（Science Citation Index Expanded） ”收錄，方便全球范圍內的學者和研究人員檢索和引用，有助于推動PHYSICS, APPLIED領域的研究進展和創新發展。

收錄信息

SCIE（科學引文索引擴展板）

CiteScore（2024年最新版）

CiteScore：5.8
SJR：0.785
SNIP：1.223

學科類別	分區	排名	百分位
大類：Engineering 小類：Electrical and Electronic Engineering	Q2	221 / 797	72%
大類：Engineering 小類：Electronic, Optical and Magnetic Materials	Q2	82 / 284	71%

CiteScore: 這一創新指標力求提供更為全面且精確的期刊評估，打破了過去僅依賴單一指標如影響因子的局限。它通過綜合廣泛的引用數據，跨越多個學科領域，從而確保了更高的透明度和開放性。作為Scopus中一系列期刊指標的重要組成部分，包括SNIP（源文檔標準化影響）、SJR（SCImago雜志排名）、引用文檔計數以及引用百分比。Scopus整合以上指標，幫助研究者深入了解超過22,220種論著的引用情況。您可在Scopus Joumal Metrics website了解各個指標的詳細信息。

CiteScore分區值與影響因子值數據對比

Ieee Transactions On Electron Devices中科院分區表

中科院分區 2023年12月升級版

大類學科	分區	小類學科	分區	Top期刊	綜述期刊
工程技術	2區	PHYSICS, APPLIED 物理：應用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣	2區 3區	否	否

中科院分區 2022年12月升級版

大類學科	分區	小類學科	分區	Top期刊	綜述期刊
工程技術	2區	PHYSICS, APPLIED 物理：應用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣	2區 3區	否	否

中科院分區 2021年12月舊的升級版

大類學科	分區	小類學科	分區	Top期刊	綜述期刊
工程技術	2區	PHYSICS, APPLIED 物理：應用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣	2區 3區	否	否

中科院分區 2021年12月基礎版

大類學科	分區	小類學科	分區	Top期刊	綜述期刊
工程技術	3區	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應用	3區 3區	否	否

中科院分區 2021年12月升級版

大類學科	分區	小類學科	分區	Top期刊	綜述期刊
工程技術	2區	PHYSICS, APPLIED 物理：應用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣	2區 3區	否	否

中科院分區 2020年12月舊的升級版

大類學科	分區	小類學科	分區	Top期刊	綜述期刊
工程技術	2區	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應用	2區 2區	是	否

中科院分區表歷年分布趨勢圖

WOS期刊JCR分區（2023-2024年最新版）

按JIF指標學科分區	收錄子集	分區	排名	百分位
學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q2	143 / 352	59.5%
學科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q2	68 / 179	62.3%

按JCI指標學科分區	收錄子集	分區	排名	百分位
學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q2	145 / 354	59.18%
學科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q2	61 / 179	66.2%

JCR（Journal Citation Reports）分區，也被稱為JCR期刊分區，是由湯森路透公司（現在屬于科睿唯安公司）制定的一種國際通用和公認的期刊分區標準。JCR分區基于SCI數據庫，按照期刊的影響因子進行排序，按照類似等分的方式將期刊劃分為四個區：Q1、Q2、Q3和Q4。需要注意的是，JCR分區的標準與中科院JCR期刊分區（又稱分區表、分區數據）存在不同之處。例如，兩者的分區數量不同，JCR分為四個區，而中科院分區則分為176個學科，每個學科又按照影響因子高低分為四個區。此外，兩者的影響因子取值范圍也存在差異。

歷年發文數據

年份	年發文量
2014	629
2015	633
2016	737
2017	759
2018	789
2019	802
2020	878
2021	1129
2022	1093
2023	1084

期刊互引關系

被他刊引用情況
期刊名稱	引用次數
IEEE T ELECTRON DEV	3214
IEEE ELECTR DEVICE L	865
JPN J APPL PHYS	565
IEEE J ELECTRON DEVI	499
SOLID STATE ELECTRON	431
IEEE ACCESS	422
SEMICOND SCI TECH	412
J APPL PHYS	400
APPL PHYS LETT	388
J COMPUT ELECTRON	284

引用他刊情況
期刊名稱	引用次數
IEEE T ELECTRON DEV	3214
IEEE ELECTR DEVICE L	1587
APPL PHYS LETT	1366
J APPL PHYS	866
SOLID STATE ELECTRON	384
PHYS REV B	305
ADV MATER	238
MICROELECTRON RELIAB	235
NANO LETT	209
ACS APPL MATER INTER	195