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    半導(dǎo)體光電雜志

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    半導(dǎo)體光電雜志

    北大期刊統(tǒng)計(jì)源期刊

    Semiconductor Optoelectronics

    同學(xué)科期刊級(jí)別分類 CSSCI南大期刊 北大期刊 CSCD期刊 統(tǒng)計(jì)源期刊 部級(jí)期刊 省級(jí)期刊

    • 雙月刊 出版周期
    • 50-1092/TN CN
    • 1001-5868 ISSN
    主管單位:中國(guó)電子科技集團(tuán)有限公司
    主辦單位:重慶光電技術(shù)研究所
    創(chuàng)刊時(shí)間:1976
    開(kāi)本:A4
    出版地:重慶
    語(yǔ)種:中文
    審稿周期:1-3個(gè)月
    影響因子:0.87
    被引次數(shù):167
    數(shù)據(jù)庫(kù)收錄:

    北大期刊(中國(guó)人文社會(huì)科學(xué)期刊)統(tǒng)計(jì)源期刊(中國(guó)科技論文優(yōu)秀期刊)知網(wǎng)收錄(中)維普收錄(中)萬(wàn)方收錄(中)CA 化學(xué)文摘(美)JST 日本科學(xué)技術(shù)振興機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)庫(kù)(日)國(guó)家圖書(shū)館館藏上海圖書(shū)館館藏

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    半導(dǎo)體光電雜志簡(jiǎn)介

    《半導(dǎo)體光電》雜志是專業(yè)技術(shù)性刊物。刊載半導(dǎo)體光電器件、光通信系統(tǒng)和光傳輸、光存貯、光計(jì)算、處理技術(shù),以及攝像、傳感、遙感等方面的研究成果、學(xué)術(shù)論文、學(xué)位論文和工作報(bào)告,介紹光學(xué)、光子學(xué)、量子電子學(xué)、光電子學(xué)領(lǐng)域的新材料、新結(jié)構(gòu)、新工藝、新器件,報(bào)道國(guó)內(nèi)外該領(lǐng)域的研究和發(fā)展方向。讀者對(duì)象為半導(dǎo)體光電專業(yè)的科技人員和大專院校師生。

    半導(dǎo)體光電雜志欄目設(shè)置

    本刊動(dòng)態(tài)綜述、光電器件、材料、結(jié)構(gòu)及工藝、光通信、光電技術(shù)應(yīng)用。

    半導(dǎo)體光電雜志榮譽(yù)信息

    半導(dǎo)體光電雜志訂閱方式

    地址:重慶市南岸區(qū)南坪花園路14號(hào),郵編:400060。

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    1.來(lái)稿要求論點(diǎn)明確、數(shù)據(jù)可靠、邏輯嚴(yán)密、文字精煉,每篇論文必須包括題目、作者姓名、作者單位、單位所在地及郵政編碼、摘要和關(guān)鍵詞、正文、參考文獻(xiàn)和第一作者及通訊作者(一般為導(dǎo)師)簡(jiǎn)介(包括姓名、性別、職稱、出生年月、所獲學(xué)位、目前主要從事的工作和研究方向),在文稿的首頁(yè)地腳處注明論文屬何項(xiàng)目、何基金(編號(hào))資助,沒(méi)有的不注明。

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    4.文中的圖、表應(yīng)有自明性。圖片不超過(guò)2幅,圖像要清晰,層次要分明。

    5.參考文獻(xiàn)的著錄格式采用順序編碼制,請(qǐng)按文中出現(xiàn)的先后順序編號(hào)。所引文獻(xiàn)必須是作者直接閱讀參考過(guò)的、最主要的、公開(kāi)出版文獻(xiàn)。未公開(kāi)發(fā)表的、且很有必要引用的,請(qǐng)采用腳注方式標(biāo)明,參考文獻(xiàn)不少于3條。

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    7.來(lái)稿文責(zé)自負(fù)。所有作者應(yīng)對(duì)稿件內(nèi)容和署名無(wú)異議,稿件內(nèi)容不得抄襲或重復(fù)發(fā)表。對(duì)來(lái)稿有權(quán)作技術(shù)性和文字性修改,雜志一個(gè)版面2500字,二個(gè)版面5000字左右。作者需要安排版面數(shù),出刊日期,是否加急等情況,請(qǐng)?jiān)卩]件投稿時(shí)作特別說(shuō)明。

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    半導(dǎo)體光電雜志范例

    GaN基MSM結(jié)構(gòu)紫外探測(cè)器光響應(yīng)特性

    兩基色白光LED的光視效能的研究

    1.55μmDFBLD光柵結(jié)構(gòu)的優(yōu)化設(shè)計(jì)

    用于紅外探測(cè)的非晶硅薄膜晶體管

    Er3+/Yb3+共摻磷酸鹽光纖放大器增益分析新模型

    光伏型光電探測(cè)器漂移-擴(kuò)散模型的改進(jìn)

    集成光波導(dǎo)微應(yīng)力傳感器研究

    數(shù)字光電耦合器隔離性能及動(dòng)態(tài)特性測(cè)試儀

    MEMS封裝用局部激光鍵合法及其實(shí)現(xiàn)

    InGaAs/InAlAs蓋帽層對(duì)InAs自組裝量子點(diǎn)發(fā)光性質(zhì)的影響

    超晶格量子阱的溝道效應(yīng)與光學(xué)雙穩(wěn)態(tài)效應(yīng)

    摻銻二氧化錫薄膜的噴霧熱解法制備與熱處理

    銦對(duì)GaN基激光器晶體質(zhì)量的影響

    Ag/S/C共摻雜納米TiO2的制備與光催化活性

    可溶性PMOTOPV的合成及其光致發(fā)光性能

    二次退火對(duì)p型GaN的應(yīng)變影響

    圓片直接鍵合界面表面能測(cè)試研究

    半導(dǎo)體光電雜志數(shù)據(jù)信息

    影響因子和被引次數(shù)

    雜志發(fā)文量

    半導(dǎo)體光電雜志發(fā)文分析

    主要資助課題分析

    資助課題 涉及文獻(xiàn)
    重慶市自然科學(xué)基金(2010BB2409) 16
    國(guó)家自然科學(xué)基金(90104003) 12
    重慶市教委科研基金(KJ110519) 10
    國(guó)家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展計(jì)劃(2006CB604902) 10
    國(guó)家自然科學(xué)基金(61377088) 10
    國(guó)家自然科學(xué)基金(90304004) 10
    國(guó)家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展計(jì)劃(2003CB314905) 9
    國(guó)家自然科學(xué)基金(60506012) 9
    國(guó)家自然科學(xué)基金(60678018) 9
    教育部“新世紀(jì)優(yōu)秀人才支持計(jì)劃”(NCET-10-0583) 9

    主要資助項(xiàng)目分析

    資助項(xiàng)目 涉及文獻(xiàn)
    國(guó)家自然科學(xué)基金 1550
    國(guó)家高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃 315
    國(guó)家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展計(jì)劃 213
    重慶市自然科學(xué)基金 71
    國(guó)家教育部博士點(diǎn)基金 70
    中央高校基本科研業(yè)務(wù)費(fèi)專項(xiàng)資金 63
    教育部“新世紀(jì)優(yōu)秀人才支持計(jì)劃” 52
    重慶市教委科研基金 48
    重慶市教育委員會(huì)科學(xué)技術(shù)研究項(xiàng)目 47
    廣東省自然科學(xué)基金 45
    半導(dǎo)體光電雜志

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